MT40A512M16LY-062E-ATE vs MT40A512M16LY-062E:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16LY-062E-ATE 제조: Micron Technology 및 MT40A512M16LY-062E:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16LY-062E-ATE | MT40A512M16LY-062E:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $34.10 | $34.99 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | x16 |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VPP) | 2.5 V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 동작 온도 | -40C to +105C (automotive) | [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] |
| Speed Grade | -062E (0.625 ns tCK) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes (DM) | — |
| Refresh Mode | Auto self-refresh | — |
| Access Time (tRCD/tRP) | — | 19 ns (per DigiKey listing) |
| Voltage - Supply (VDD) | — | 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max |
| Voltage - VPP | — | 2.5 V (typical) |
| 인터페이스 | — | Parallel (LVCMOS / SSTL) |
| 패키지 / 케이스 | — | 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Refresh Cycles | — | 65536 |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes (data channel) |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes (LPASR) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |