MT41K128M16JT vs IS43TR16256AL-125KBLI-TR Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K128M16JT por Micron Technology y IS43TR16256AL-125KBLI-TR por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K128M16JT MT41K128M16JT - 2Gb DDR3L SDRAM 128Mx16 96-FBGA | Micron

MT41K128M16JT - 2Gb DDR3L SDRAM 128Mx16 96-FBGA | Micron

MT41K128M16JT ✓ Activo
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K128M16JT IS43TR16256AL-125KBLI-TR
Marca Micron Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,20 $8,25
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 2 Gbit —
Organización de memoria 128M x 16 —
Banks 8 banks —
Prefetch Architecture 8n-bit prefetch —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35 V (typ) / 1.283 V to 1.45 V (DDR3L) 1.35V ± 0.1V, -0.067V
Access Time 0.225 ns (CK to DQ, -125 bin) —
Cycle Time 1.25 ns (-125 bin) / 1.07 ns (-107 bin) —
Max Data Rate 1600 MT/s (-125) / 1866 MT/s (-107) —
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C (commercial, no suffix) —
Industrial Temperature Option -40C to +95C (IT suffix) —
Automotive Temperature Option -40C to +105C (AAT) / -40C to +95C (AIT) —
Encapsulado 96-FBGA (8 mm x 14 mm, 0.8 mm pitch) 96-TWBGA (9x13 mm)
Process Technology CMOS —
On-Die Termination Dynamic ODT (nominal/weak/strong) —
Calibration ZQ calibration (240 ohm ext. resistor) —
Refresh Auto self-refresh (ASR) —
Write Feature Write leveling + data mask —
Tipo de montaje Surface Mount (FBGA) Surface Mount
Estado RoHS Compliant (Pb-free FBGA) Compliant
Tamaño de memoria — 4Gbit (256M x 16)
Ancho del bus de datos — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Velocidad de datos — 1600 Mbps
Latencia CAS — 11
Backward Compatible Voltage — 1.5V
Row Cycle Time (tRC) — 20 ns
Row Active Time (tRAS) — 20 ns
Rango de temperatura de funcionamiento — -40°C to +95°C (TC)
Burst Length — 8
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

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