MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646D-BYH9 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology y K4B4G1646D-BYH9 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActivoSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,19 | $2,30 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V |
| Velocidad de datos | 1600 MT/s | 1333 Mbps |
| Latencia CAS | 11 | Programmable |
| Encapsulado | FBGA-96 (9x14 mm) | 96FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |