MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646D-BYH9 比較
詳細な並列比較: MT41K256M16RE-125:D メーカー: Micron Technology および K4B4G1646D-BYH9 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.19 | $2.30 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V |
| データレート | 1600 MT/s | 1333 Mbps |
| CASレイテンシ | 11 | Programmable |
| パッケージ | FBGA-96 (9x14 mm) | 96FBGA |
| 動作温度 | 0C to +95C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |