MT41K256M16RE-15E:D vs MT41K256M16HA-125:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16RE-15E:D por Micron Technology y MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-15E:D ✓ ActivoMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16RE-15E:D | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,20 | $3,10 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gb (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 667 MHz (DDR3L-1333) | — |
| Access Time | 13.5 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V) | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (10x14 mm) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to 95°C (TC) | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latencia CAS | 11 (typical) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Número de pines | 96 | 96 |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |