MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BYMA0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16TW-107 por Micron Technology y K4B4G1646D-BYMA0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BYMA0 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,10 | $7,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (commercial :P grade) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Supported |
| Asynchronous Reset | Yes | Supported |
| Data Mask | Yes | Supported |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Velocidad de datos | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |