MT53E384M32D2DS-053 WT:E vs MT53E384M32D2DS-046 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT53E384M32D2DS-053 WT:E por Micron Technology y MT53E384M32D2DS-046 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT53E384M32D2DS-053 WT:E - 12Gbit LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53E384M32D2DS-053 WT:E ✓ ActivoMicron Technology
MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron
MT53E384M32D2DS-046 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT53E384M32D2DS-053 WT:E | MT53E384M32D2DS-046 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $11,30 | $13,40 |
| Tipo de memoria | Mobile LPDDR4 SDRAM | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) |
| Tamaño de memoria | 12 Gbit | — |
| Organización de memoria | 384M x 32 | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (1.866 GHz) | [DATA_NEEDED: exact MT/s data rate] |
| Speed Grade | -053 | -046 (4266 MT/s class) |
| Die Architecture | DDP (Double Die Package) | — |
| Encapsulado | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Supply Voltage Class | 1.1V (VDD2/VDDQ), LPDDR4 low-voltage I/O | — |
| Interfaz | LPDDR4 (JEDEC mobile DRAM interface) | — |
| Temperature Grade Suffix | WT (commercial/industrial), E (lead-free RoHS package code) | — |
| Memory IC Category | SDRAM - Mobile LPDDR4 | — |
| Estado RoHS | Compliant (E package suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Core Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VDD1 core voltage exact value] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval 32ms/64ms confirmation] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 384M x 32 |
| Density | — | 12 Gbit |
| Clock Frequency | — | 2.133 GHz |
| Tensión de alimentación | — | 1.1 V |
| Die Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Qualification | — | AEC-Q100, automotive grade (AUT suffix) |
| Die Revision | — | :E |
| Access Type | — | Parallel |
| Memory Category | — | Volatile DRAM |