MX30UF4G28AB vs MX30UF4G26AB Comparación

Comparación detallada lado a lado de MX30UF4G28AB por Macronix y MX30UF4G26AB por Macronix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Macronix
MX30UF4G26AB MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MX30UF4G28AB MX30UF4G26AB
Marca Macronix Macronix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,30 $4,25
Tipo de memoria FLASH - NAND (SLC) FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de memoria 4 Gbit —
Memory Organization 512M x 8 256M x 16
Interfaz Parallel (asynchronous) Parallel (Asynchronous NAND)
Bus Width x8 / x16 selectable —
Access Time (tRC) 25 ns (typical) —
Supply Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ) —
Technology SLC (Single-Level Cell) NAND —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare (x8) [DATA_NEEDED: page size in bytes]
Block Size [DATA_NEEDED: block size in pages] [DATA_NEEDED: block size in pages]
Encapsulado 48-pin TSOP-I (TI) / 63-ball VFBGA (XKI) 63-VFBGA (9 x 11 mm)
Temperatura de funcionamiento -40 °C to +85 °C (industrial) -40 C to +85 C
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] [DATA_NEEDED: data retention years]
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP) 3
Memory Density — 4 Gbit (512 MB)
Supply Voltage (Vcc) — 1.7 V to 1.95 V
Access Time — 25 ns
Compliance Standard — ONFI 1.0
Cell Technology — Single-Level Cell (SLC)
Endurance (P/E Cycles) — [DATA_NEEDED: typical endurance per block]

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