MX30UF4G28AB vs MX30UF4G26AB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MX30UF4G28AB par Macronix et MX30UF4G26AB par Macronix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Macronix
MX30UF4G26AB MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MX30UF4G28AB MX30UF4G26AB
Marque Macronix Macronix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,30 $4,25
Type de mémoire FLASH - NAND (SLC) FLASH - NAND (SLC)
Taille de mémoire 4 Gbit —
Memory Organization 512M x 8 256M x 16
Interface Parallel (asynchronous) Parallel (Asynchronous NAND)
Bus Width x8 / x16 selectable —
Access Time (tRC) 25 ns (typical) —
Supply Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ) —
Technology SLC (Single-Level Cell) NAND —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare (x8) [DATA_NEEDED: page size in bytes]
Block Size [DATA_NEEDED: block size in pages] [DATA_NEEDED: block size in pages]
Boîtier 48-pin TSOP-I (TI) / 63-ball VFBGA (XKI) 63-VFBGA (9 x 11 mm)
Température de fonctionnement -40 °C to +85 °C (industrial) -40 C to +85 C
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] [DATA_NEEDED: data retention years]
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 3 (per JEDEC J-STD-020, typical for TSOP) 3
Memory Density — 4 Gbit (512 MB)
Supply Voltage (Vcc) — 1.7 V to 1.95 V
Access Time — 25 ns
Compliance Standard — ONFI 1.0
Cell Technology — Single-Level Cell (SLC)
Endurance (P/E Cycles) — [DATA_NEEDED: typical endurance per block]

Fiches techniques et ressources

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