NT5AD512M16 vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16 por Nanya Technology y MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16 | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $73,75 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 MT/s |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| Operating Temperature (Commercial) | 0°C to +95°C | — |
| Operating Temperature (Industrial) | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Interfaz | — | Parallel |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |