NT5AD512M16A4-GZ vs NT5AD512M16 Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16A4-GZ por Nanya Technology y NT5AD512M16 por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16A4-GZ | NT5AD512M16 |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,50 | $73,75 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | — |
| Tensión de alimentación | 1.2V | — |
| Frecuencia de reloj máxima | 1200 MHz | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Encapsulado | TFBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| Total Density | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Velocidad de datos | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Operating Temperature (Commercial) | — | 0°C to +95°C |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40°C to +95°C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |