NT5AD512M16A4-HR vs MT40A512M16JY-075E Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16A4-HR por Nanya Technology y MT40A512M16JY-075E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16A4-HR | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $30,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gb | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (PC4-25600) | 2666 MT/s |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Encapsulado | TFBGA-96 | 96-FBGA (8x14) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Características | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |