NT5AD512M16C4-JR vs K4A8G165WC-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16C4-JR por Nanya Technology y K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16C4-JR | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $73,75 | $23,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Velocidad de datos | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Encapsulado | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (case) |
| Interfaz | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latencia CAS | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Refresh | — | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |