NT5AD512M16C4-JR vs K4A8G165WC-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-JR par Nanya Technology et K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16C4-JR | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $73,75 | $23,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Débit de données | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Boîtier | TFBGA-96 | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (case) |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Refresh | — | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| Type de montage | — | Surface Mount |