NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646D-BYK0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CB256M16CP-DI por Nanya Technology y K4B4G1646D-BYK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CB256M16CP-DI | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $2,90 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps/pin (max) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Encapsulado | TFBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Additive Latency | 0-13 | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to 85°C |
| Latencia CAS | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Número de pines | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |