NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646D-BYK0 比較
詳細な並列比較: NT5CB256M16CP-DI メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646D-BYK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5CB256M16CP-DI | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $2.90 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| 電源電圧 | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| データレート | 1600 Mbps/pin (max) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| パッケージ | TFBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Additive Latency | 0-13 | — |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| 動作温度 | — | 0°C to 85°C |
| CASレイテンシ | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| ピン数 | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |