NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DIH Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16CP-DIB1 por Nanya Technology y NT5CB256M16CP-DIH por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16CP-DIB1 | NT5CB256M16CP-DIH |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,00 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35V | — |
| Velocidad de datos | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Encapsulado | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96-ball TFBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11 | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (Tcase) | -40°C to +95°C (industrial) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (±0.075V) |
| Internal Banks | — | 8 (BA0-BA2) |
| WRITE Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Interfaz | — | SSTL_15 |
| REACH | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Process Technology | — | 70nm |