NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DIH Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DIB1 par Nanya Technology et NT5CB256M16CP-DIH par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CP-DIB1 | NT5CB256M16CP-DIH |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35V | — |
| Débit de données | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Boîtier | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96-ball TFBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11 | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (Tcase) | -40°C to +95°C (industrial) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (±0.075V) |
| Internal Banks | — | 8 (BA0-BA2) |
| WRITE Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Interface | — | SSTL_15 |
| REACH | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Process Technology | — | 70nm |