NT5CC256M16CP-DII vs NT5CC256M16DP-DI Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16CP-DII por Nanya Technology y NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16CP-DII | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,30 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35V |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Encapsulado | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C (industrial) |
| Density | — | 4Gb |
| Latencia CAS | — | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Interfaz | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Lead-Free | — | Yes |