NT5CC256M16CP-EK vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16CP-EK por Nanya Technology y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-EK ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16CP-EK | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $22,00 | $14,32 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35V (DDR3L) / 1.5V (DDR3) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Velocidad de datos | 2133 Mb/s per pin | 1866 Mbps/pin |
| Encapsulado | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| Number of Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | Programmable (e.g., 9, 10, 11, 12, 13) | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Interfaz | Differential clock (CK, CK#) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Número de pines | — | 96 |