NT5CC256M16CP-EK vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16CP-EK von Nanya Technology und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-EK NT5CC256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology

NT5CC256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology

NT5CC256M16CP-EK ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CC256M16CP-EK K4B4G1646E-BYMA
Marke Nanya Technology Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $22,00 $14,32
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Versorgungsspannung 1.35V (DDR3L) / 1.5V (DDR3) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Datenrate 2133 Mb/s per pin 1866 Mbps/pin
Gehäuse 96-ball TFBGA FBGA-96
Betriebstemperatur 0°C to +95°C (TC) 0°C to +95°C
Number of Banks 8 —
Refresh Cycles 8192 —
CAS Latency (CL) Programmable (e.g., 9, 10, 11, 12, 13) —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Schnittstelle Differential clock (CK, CK#) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Montageart — Surface Mount
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Anzahl der Pins — 96

Datenblätter & Ressourcen

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