NT5CC256M16CP-EK vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-EK par Nanya Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-EK ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CP-EK | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $22,00 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35V (DDR3L) / 1.5V (DDR3) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Débit de données | 2133 Mb/s per pin | 1866 Mbps/pin |
| Boîtier | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| Number of Banks | 8 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| CAS Latency (CL) | Programmable (e.g., 9, 10, 11, 12, 13) | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Interface | Differential clock (CK, CK#) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Nombre de broches | — | 96 |