P1013NSN2LFB vs P1013NXN2LFB Comparación

Comparación detallada lado a lado de P1013NSN2LFB por NXP Semiconductors y P1013NXN2LFB por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
P1013NSN2LFB P1013NSN2LFB - QorIQ P1 1-Core 1GHz PowerPC MPU | NXP | TEPBGA-689

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NXP Semiconductors
P1013NXN2LFB P1013NXN2LFB - QorIQ P1022 Power Arch SoC 1GHz | NXP

P1013NXN2LFB - QorIQ P1022 Power Arch SoC 1GHz | NXP

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Comparación de especificaciones

Parámetro P1013NSN2LFB P1013NXN2LFB
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Microcontrollers Microcontrollers
Estado del ciclo de vida Última compra Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $53,20 $32,85
Core Architecture PowerPC e500v2 (single core) 32-bit Power Architecture e500v2
Core Count 1 —
Ancho del bus de datos 32-bit —
Maximum Core Frequency 1067 MHz —
Rango de temperatura de funcionamiento 0 °C to +105 °C —
Encapsulado 689-TEPBGA II (31x31 mm) 689-ball TEPBGA II (31 mm x 31 mm)
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Memory Controller DDR2/DDR3 with ECC, up to 800 MT/s DDR2/DDR3 with ECC, 64-bit data bus
Ethernet MACs 3 x 10/100/1000 Mb/s (1 RGMII + 2 SGMII) 3 x 10/100/1000 (2x SGMII/HS SerDes, 1x RGMII)
PCIe Controllers 2 x PCIe Gen 1/2 —
USB USB 2.0 (Host + Device) 1 x USB 2.0 with integrated PHY
Display Interface Integrated LCD controller —
Security Engine SEC 4.x (DES/3DES/AES/SHA/RSA) —
L2 Cache 256 KB 256 KB platform cache
Supply Voltages 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free ball finish)
Silicon Revision Rev 2.1 —
Family — QorIQ P1022 (P1 series)
Number of Cores — 1
Core Frequency — 1.067 GHz
L1 Cache (per core) — 32 KB instruction + 32 KB data
PCI Express — 2 x PCIe Gen 1.1 (x4 / x1)
Other Interfaces — eSDHC, eSPI, I2C, UART, eLBC, LCD controller
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C (junction)
Process — 45 nm SOI
Tensión de alimentación — 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Security — SEC 4.0 (optional crypto accelerator) on die variant

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