PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH165VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de PDRQL8KCBF12-00 por Samsung Electronics y K4RAH165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $18,00 | $9,92 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 7200 MT/s | — |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulado | FBGA | FBGA-106 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Interfaz | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | DDR5 |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |