PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de PDRQL8KCBF12-00 par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $18,00 | $9,92 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 7200 MT/s | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Boîtier | FBGA | FBGA-106 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Interface | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | DDR5 |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |