PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH165VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von PDRQL8KCBF12-00 von Samsung Electronics und K4RAH165VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $18,00 | $9,92 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gb | — |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | — |
| Datenrate | 7200 MT/s | — |
| Versorgungsspannung | 1.1 V | 1.1 V |
| Gehäuse | FBGA | FBGA-106 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | Yes |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Schnittstelle | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speichergröße | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | DDR5 |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |