PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BIQK Comparación
Comparación detallada lado a lado de PDRQLAKCDF12-00 por Samsung Electronics y K4RAH165VB-BIQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | PDRQLAKCDF12-00 | K4RAH165VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $13,60 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Velocidad de datos | 7200 Mbps per pin | 4800 Mbps (MT/s) |
| Speed Bin | DDR5-7200 | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | — |
| Encapsulado | 102-ball FBGA | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Generation | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) | — |
| Interfaz | JEDEC DDR5 | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| tCK / Cycle Time | [DATA_NEEDED: clock cycle time] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| DLL Enabled Mode | — | Yes (spec mode per datasheet) |
| Marca | — | Samsung Semiconductor |