PDRQLAKCDF12-00 vs K4RAH165VB-BIQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de PDRQLAKCDF12-00 par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BIQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | PDRQLAKCDF12-00 | K4RAH165VB-BIQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $13,60 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Débit de données | 7200 Mbps per pin | 4800 Mbps (MT/s) |
| Speed Bin | DDR5-7200 | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | — |
| Boîtier | 102-ball FBGA | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Generation | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) | — |
| Interface | JEDEC DDR5 | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| tCK / Cycle Time | [DATA_NEEDED: clock cycle time] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| DLL Enabled Mode | — | Yes (spec mode per datasheet) |
| Marque | — | Samsung Semiconductor |