STL140N4F7AG vs IRFH7084TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de STL140N4F7AG por STMicroelectronics y IRFH7084TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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STL140N4F7AG STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro STL140N4F7AG IRFH7084TRPBF
Marca STMicroelectronics Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $0,45
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 140 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 3.2 mOhm @ VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (min) —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC —
Input Capacitance (Ciss) 4500 pF —
Output Capacitance (Coss) 800 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 150 pF —
Power Dissipation (PD) 150 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C -55°C to +175°C (TJ)
Encapsulado PowerFLAT 5x6 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS Compliant Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Nivel MSL — 1
Estado RoHS — Compliant
Sin halógenos — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

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