STL140N4F7AG vs IRFH7084TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STL140N4F7AG par STMicroelectronics et IRFH7084TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

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STL140N4F7AG STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG - 40V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STL140N4F7AG ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre STL140N4F7AG IRFH7084TRPBF
Marque STMicroelectronics Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,45
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 140 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 3.2 mOhm @ VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (min) —
Total Gate Charge (Qg) 60 nC —
Input Capacitance (Ciss) 4500 pF —
Output Capacitance (Coss) 800 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 150 pF —
Power Dissipation (PD) 150 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C -55°C to +175°C (TJ)
Boîtier PowerFLAT 5x6 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualified Yes —
RoHS Compliant Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant
Sans halogène — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

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