TLP183(GR) vs TLP183(GB-TPL,E Comparación

Comparación detallada lado a lado de TLP183(GR) por Toshiba y TLP183(GB-TPL,E por Toshiba. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro TLP183(GR) TLP183(GB-TPL,E
Marca Toshiba Toshiba
Categoría Optocouplers Optocouplers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,20 $0,09
Tipo de salida Phototransistor (DC input, transistor output) —
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage 3750 Vrms (minimum) —
Current Transfer Ratio (CTR) 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA) —
Tensión colector-emisor (Vceo) 80 V minimum —
Emitter-Collector Voltage (VECO) 6 V minimum —
Collector Current 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum —
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA] —
Switching Time (tR, tF) 2 us typical —
Temperatura de funcionamiento -55C to +125C —
Encapsulado SO6 (4-pin surface mount) 6-SOP (4-lead SO6), surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (SMT)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant RoHS compatible
CTR Bin GR —
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Isolation Voltage (rms) — 3750 Vrms
CTR Rank — GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V)
Forward Current (IF) max — 50 mA
Reverse Voltage (VR) max — 5 V
Collector-Emitter Voltage (VCEO) max — 80 V
Emitter-Base Voltage (VEBO) max — 7 V
Collector Current (IC) max — 50 mA
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +125°C
Input LED Type — GaAs infrared emitting diode
Output Transistor Type — Silicon NPN phototransistor
Packaging — Tape and Reel (TPL suffix)
Applications — PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine

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