TLP183(GR) vs TLP183(GB-TPL,E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLP183(GR) par Toshiba et TLP183(GB-TPL,E par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLP183(GR) TLP183(GB-TPL,E
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie Optocouplers Optocouplers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,20 $0,09
Type de sortie Phototransistor (DC input, transistor output) —
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage 3750 Vrms (minimum) —
Current Transfer Ratio (CTR) 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA) —
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 80 V minimum —
Emitter-Collector Voltage (VECO) 6 V minimum —
Collector Current 50 mA maximum —
Forward Current (IF) 50 mA maximum —
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA] —
Switching Time (tR, tF) 2 us typical —
Température de fonctionnement -55C to +125C —
Boîtier SO6 (4-pin surface mount) 6-SOP (4-lead SO6), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMT)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant RoHS compatible
CTR Bin GR —
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Isolation Voltage (rms) — 3750 Vrms
CTR Rank — GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V)
Forward Current (IF) max — 50 mA
Reverse Voltage (VR) max — 5 V
Collector-Emitter Voltage (VCEO) max — 80 V
Emitter-Base Voltage (VEBO) max — 7 V
Collector Current (IC) max — 50 mA
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +125°C
Input LED Type — GaAs infrared emitting diode
Output Transistor Type — Silicon NPN phototransistor
Packaging — Tape and Reel (TPL suffix)
Applications — PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine

Fiches techniques et ressources

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