UCC21521DWR vs UCC21540QDWKRQ1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de UCC21521DWR por Texas Instruments y UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro UCC21521DWR UCC21540QDWKRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,15 $2,21
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms —
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling —
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C Wide temperature range (automotive)
Encapsulado SOIC-16 (DW) 14-SOIC (DWK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Estado RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 2
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)
Automotive Qualification — AEC-Q100

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