UCC21521DWR vs UCC21540QDWKRQ1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de UCC21521DWR por Texas Instruments e UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro UCC21521DWR UCC21540QDWKRQ1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,15 $2,21
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms —
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling —
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
Temperatura de operação -40C to +125C Wide temperature range (automotive)
Encapsulamento SOIC-16 (DW) 14-SOIC (DWK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Status RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 2
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)
Automotive Qualification — AEC-Q100

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação