UCC21521DWR vs UCC21540QDWKRQ1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21521DWR par Texas Instruments et UCC21540QDWKRQ1 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21521DWR UCC21540QDWKRQ1
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,15 $2,21
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Rating 5700 Vrms —
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling —
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
Température de fonctionnement -40C to +125C Wide temperature range (automotive)
Boîtier SOIC-16 (DW) 14-SOIC (DWK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Statut RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 2
Isolation Type — Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage — 5700 VRMS
Channel-to-Channel Spacing — 3.3 mm minimum (DWK package)
Dead Time — Programmable (external resistor)
Target Transistors — Power MOSFET, IGBT, GaN
Configuration Options — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
UVLO — 8 V (secondary side)
Automotive Qualification — AEC-Q100

Fiches techniques et ressources

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