W25M02GWZEIG-TR vs W25M02GWZEIG Comparación

Comparación detallada lado a lado de W25M02GWZEIG-TR por Winbond y W25M02GWZEIG por Winbond. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro W25M02GWZEIG-TR W25M02GWZEIG
Marca Winbond Winbond
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,42 $4,22
Tipo de memoria Non-Volatile NAND Flash (SLC) Serial NAND Flash (SLC)
Density 2 Gbit (256 MB) - 2 x 1 Gbit die stacked 2 Gbit (2 x 1 Gbit stacked die)
Memory Interface SPI - Single, Dual, Quad I/O —
Supply Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ.) —
Maximum SPI Clock 104 MHz —
Access Time 8 ns —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare area 2048 bytes + 64 bytes spare
Block Size 128 KB (64 pages) 64 pages (131,072 bytes)
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block —
Data Retention 10 years typical 10 years typical
Encapsulado 8-WSON (ZE) 8x6 mm WSON-8 (8x6 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40C to +85C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Nivel MSL 3 (168 hours) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (TR) —
Estado RoHS Compliant Compliant (ROHS3)
Architecture — Multi-Chip Package (MCP), two W25N01GW die
Supply Voltage VCC — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ)
Interfaz — Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI
Frecuencia de reloj máxima — 104 MHz
Endurance — 100,000 program/erase cycles per block
Internal ECC — Configurable, up to 8-bit per 512-byte sector
Sin halógenos — Yes

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