W25M02GWZEIG-TR vs W25M02GWZEIG 비교

다음의 상세 나란히 비교: W25M02GWZEIG-TR 제조: Winbond 및 W25M02GWZEIG 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 W25M02GWZEIG-TR W25M02GWZEIG
브랜드 Winbond Winbond
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.42 $4.22
메모리 유형 Non-Volatile NAND Flash (SLC) Serial NAND Flash (SLC)
Density 2 Gbit (256 MB) - 2 x 1 Gbit die stacked 2 Gbit (2 x 1 Gbit stacked die)
Memory Interface SPI - Single, Dual, Quad I/O —
Supply Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ.) —
Maximum SPI Clock 104 MHz —
Access Time 8 ns —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare area 2048 bytes + 64 bytes spare
Block Size 128 KB (64 pages) 64 pages (131,072 bytes)
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block —
Data Retention 10 years typical 10 years typical
패키지 8-WSON (ZE) 8x6 mm WSON-8 (8x6 mm) with exposed pad
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -40C to +85C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
MSL 레벨 3 (168 hours) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS 상태 Compliant Compliant (ROHS3)
Architecture — Multi-Chip Package (MCP), two W25N01GW die
Supply Voltage VCC — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ)
인터페이스 — Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI
최대 클록 주파수 — 104 MHz
Endurance — 100,000 program/erase cycles per block
Internal ECC — Configurable, up to 8-bit per 512-byte sector
할로겐 프리 — Yes

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