W25M02GWZEIG-TR vs W25M02GWZEIG Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de W25M02GWZEIG-TR par Winbond et W25M02GWZEIG par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre W25M02GWZEIG-TR W25M02GWZEIG
Marque Winbond Winbond
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,42 $4,22
Type de mémoire Non-Volatile NAND Flash (SLC) Serial NAND Flash (SLC)
Density 2 Gbit (256 MB) - 2 x 1 Gbit die stacked 2 Gbit (2 x 1 Gbit stacked die)
Memory Interface SPI - Single, Dual, Quad I/O —
Supply Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ.) —
Maximum SPI Clock 104 MHz —
Access Time 8 ns —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare area 2048 bytes + 64 bytes spare
Block Size 128 KB (64 pages) 64 pages (131,072 bytes)
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block —
Data Retention 10 years typical 10 years typical
Boîtier 8-WSON (ZE) 8x6 mm WSON-8 (8x6 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +85C (Industrial) -40 C to +85 C (industrial)
Niveau MSL 3 (168 hours) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (TR) —
Statut RoHS Compliant Compliant (ROHS3)
Architecture — Multi-Chip Package (MCP), two W25N01GW die
Supply Voltage VCC — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ)
Interface — Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI
Fréquence d'horloge maximale — 104 MHz
Endurance — 100,000 program/erase cycles per block
Internal ECC — Configurable, up to 8-bit per 512-byte sector
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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