W25M02GWZEIG vs W25M02GWZEIG-TR Comparación

Comparación detallada lado a lado de W25M02GWZEIG por Winbond y W25M02GWZEIG-TR por Winbond. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro W25M02GWZEIG W25M02GWZEIG-TR
Marca Winbond Winbond
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,22 $1,42
Tipo de memoria Serial NAND Flash (SLC) Non-Volatile NAND Flash (SLC)
Density 2 Gbit (2 x 1 Gbit stacked die) 2 Gbit (256 MB) - 2 x 1 Gbit die stacked
Architecture Multi-Chip Package (MCP), two W25N01GW die —
Supply Voltage VCC 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ) —
Interfaz Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI —
Frecuencia de reloj máxima 104 MHz —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare 2048 bytes + 64 bytes spare area
Block Size 64 pages (131,072 bytes) 128 KB (64 pages)
Endurance 100,000 program/erase cycles per block —
Data Retention 10 years typical 10 years typical
Internal ECC Configurable, up to 8-bit per 512-byte sector —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +85 C (industrial) -40C to +85C (Industrial)
Encapsulado WSON-8 (8x6 mm) with exposed pad 8-WSON (ZE) 8x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 3 (168 hours)
Estado RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
Sin halógenos Yes —
Memory Interface — SPI - Single, Dual, Quad I/O
Supply Voltage (VCC) — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ.)
Maximum SPI Clock — 104 MHz
Access Time — 8 ns
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block
Packaging — Tape & Reel (TR)

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