W25M02GWZEIG vs W25M02GWZEIG-TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de W25M02GWZEIG par Winbond et W25M02GWZEIG-TR par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre W25M02GWZEIG W25M02GWZEIG-TR
Marque Winbond Winbond
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,22 $1,42
Type de mémoire Serial NAND Flash (SLC) Non-Volatile NAND Flash (SLC)
Density 2 Gbit (2 x 1 Gbit stacked die) 2 Gbit (256 MB) - 2 x 1 Gbit die stacked
Architecture Multi-Chip Package (MCP), two W25N01GW die —
Supply Voltage VCC 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ) —
Interface Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI —
Fréquence d'horloge maximale 104 MHz —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare 2048 bytes + 64 bytes spare area
Block Size 64 pages (131,072 bytes) 128 KB (64 pages)
Endurance 100,000 program/erase cycles per block —
Data Retention 10 years typical 10 years typical
Internal ECC Configurable, up to 8-bit per 512-byte sector —
Température de fonctionnement -40 C to +85 C (industrial) -40C to +85C (Industrial)
Boîtier WSON-8 (8x6 mm) with exposed pad 8-WSON (ZE) 8x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 3 (168 hours)
Statut RoHS Compliant (ROHS3) Compliant
Sans halogène Yes —
Memory Interface — SPI - Single, Dual, Quad I/O
Supply Voltage (VCC) — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ.)
Maximum SPI Clock — 104 MHz
Access Time — 8 ns
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fiches techniques et ressources

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