W25M02GWZEIG vs W25M02GWZEIG-TR 比較

詳細な並列比較: W25M02GWZEIG メーカー: Winbond および W25M02GWZEIG-TR メーカー: Winbond。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ W25M02GWZEIG W25M02GWZEIG-TR
ブランド Winbond Winbond
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.22 $1.42
メモリタイプ Serial NAND Flash (SLC) Non-Volatile NAND Flash (SLC)
Density 2 Gbit (2 x 1 Gbit stacked die) 2 Gbit (256 MB) - 2 x 1 Gbit die stacked
Architecture Multi-Chip Package (MCP), two W25N01GW die —
Supply Voltage VCC 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ) —
インターフェース Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI —
最大クロック周波数 104 MHz —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare 2048 bytes + 64 bytes spare area
Block Size 64 pages (131,072 bytes) 128 KB (64 pages)
Endurance 100,000 program/erase cycles per block —
Data Retention 10 years typical 10 years typical
Internal ECC Configurable, up to 8-bit per 512-byte sector —
動作温度 -40 C to +85 C (industrial) -40C to +85C (Industrial)
パッケージ WSON-8 (8x6 mm) with exposed pad 8-WSON (ZE) 8x6 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル MSL3 (per JEDEC J-STD-020) 3 (168 hours)
RoHS ステータス Compliant (ROHS3) Compliant
ハロゲンフリー Yes —
Memory Interface — SPI - Single, Dual, Quad I/O
Supply Voltage (VCC) — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typ.)
Maximum SPI Clock — 104 MHz
Access Time — 8 ns
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block
Packaging — Tape & Reel (TR)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼