W634GU6RB-11 vs YZ38F16SBB-9MFD-M Comparación
Comparación detallada lado a lado de W634GU6RB-11 por Winbond y YZ38F16SBB-9MFD-M por Loongtion. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | W634GU6RB-11 | YZ38F16SBB-9MFD-M |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Loongtion |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $13,52 | $7,20 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Interfaz | Parallel | JEDEC DDR3 |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Latencia CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Tensión de alimentación | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V / 1.5V |
| Encapsulado | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | External 240Ω ±1% resistor |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | -9 (DDR3-1866) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Recuento de pines | — | 96 |