W634GU6RB-11 vs YZ38F16SBB-9MFD-M Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB-11 par Winbond et YZ38F16SBB-9MFD-M par Loongtion. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB-11 | YZ38F16SBB-9MFD-M |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Loongtion |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $13,52 | $7,20 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Interface | Parallel | JEDEC DDR3 |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Latence CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V / 1.5V |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | External 240Ω ±1% resistor |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | -9 (DDR3-1866) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Nombre de broches | — | 96 |