W634GU6RB-12 vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de W634GU6RB-12 por Winbond y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | W634GU6RB-12 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,50 | $14,32 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Encapsulado | 96-VFBGA (7.5x13) | FBGA-96 |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pines | 96 | 96 |
| Velocidad de datos | 1600 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Density | — | 4 Gb |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |