W634GU6RB-12 vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB-12 par Winbond et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB-12 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,50 | $14,32 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13) | FBGA-96 |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 96 | 96 |
| Débit de données | 1600 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Density | — | 4 Gb |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |