W634GU6RB-12 vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de W634GU6RB-12 por Winbond e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | W634GU6RB-12 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $9,50 | $14,32 |
| Tipo de memória | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4Gbit | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Encapsulamento | 96-VFBGA (7.5x13) | FBGA-96 |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de pinos | 96 | 96 |
| Taxa de dados | 1600 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Density | — | 4 Gb |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |