W9751G6KB-25 vs NT5CB256M16CP-DI Comparación
Comparación detallada lado a lado de W9751G6KB-25 por Winbond y NT5CB256M16CP-DI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | W9751G6KB-25 | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,92 | $6,50 |
| Tipo de memoria | Volatile DRAM (DDR2 SDRAM) | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 512 Mbit (32M x 16) | — |
| Organización de memoria | 32M words x 16 bits | 256M x 16 |
| Speed Grade | -25 (DDR2-800) | — |
| Clock Frequency | 400 MHz | — |
| Velocidad de datos | 800 MT/s | 1600 Mbps/pin (max) |
| Access Time | 57.5 ns (CAS latency timing window) | — |
| Tensión de alimentación | 1.8 V typical | 1.35 V (DDR3L) |
| Tipo de interfaz | Parallel DDR2 (SSTL_18) | — |
| Encapsulado | 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm | TFBGA-96 |
| Refresh Cycles | 8K (per JEDEC DDR2 standard) | — |
| Burst Length | 4 or 8 (programmable) | — |
| Latencia CAS | Programmable (typically 3 to 6) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Self Refresh | Yes | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature grade] | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |