W9751G6KB-25 vs NT5CB256M16CP-DI 비교
다음의 상세 나란히 비교: W9751G6KB-25 제조: Winbond 및 NT5CB256M16CP-DI 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W9751G6KB-25 | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.92 | $6.50 |
| 메모리 유형 | Volatile DRAM (DDR2 SDRAM) | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 512 Mbit (32M x 16) | — |
| 메모리 구성 | 32M words x 16 bits | 256M x 16 |
| Speed Grade | -25 (DDR2-800) | — |
| Clock Frequency | 400 MHz | — |
| 데이터 속도 | 800 MT/s | 1600 Mbps/pin (max) |
| Access Time | 57.5 ns (CAS latency timing window) | — |
| 공급 전압 | 1.8 V typical | 1.35 V (DDR3L) |
| 인터페이스 유형 | Parallel DDR2 (SSTL_18) | — |
| 패키지 | 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm | TFBGA-96 |
| Refresh Cycles | 8K (per JEDEC DDR2 standard) | — |
| Burst Length | 4 or 8 (programmable) | — |
| CAS 레이턴시 | Programmable (typically 3 to 6) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Self Refresh | Yes | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature grade] | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |