2EP101RXTMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EP101RXTMA1 توسط Infineon و 1ED3142MC12HXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EP101RXTMA1 1ED3142MC12HXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC —
توپولوژی Full-bridge (H-bridge) with external transformer —
Supply Voltage Range 5 V to 20 V —
Maximum Output Power 5 W —
Switching Frequency Option 1 50 kHz —
Switching Frequency Option 2 65 kHz —
Duty Cycle Option 1 12% —
Duty Cycle Option 2 17% —
تعداد خروجی‌ها 1 (full-bridge differential primary) 2 (separate source/sink)
بسته‌بندی PG-TSSOP-8 PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -40 °C to +125 °C —
Primary Application Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply —
RoHS Compliance Compliant —
Delivery Form Tape and Reel (XT suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت