BSC011N03LSIATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC011N03LSIATMA1 توسط Infineon و BSC039N06NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC011N03LSIATMA1 BSC039N06NSATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 30 V —
Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC]
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V 1.1 mΩ (typical) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 96 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C -55C to +150C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-7 (Surface Mount) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 5
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (PD) — 69 W
تعداد پین‌ها — 8
Gate Drive Voltage (VGS) — ±20 V max
Technology — OptiMOS 5 (TrenchFET-style)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت